电子气体,气态氢化物,金属有机化合物相关主题探讨
2016-10-21技术资料
电子气体,气态氢化物,金属有机化合物
气态氢化物
化学气相沉积
分子束外延
金属有机化合物气相沉积
~~
相信朋友们很熟悉的
它们目前不能被广泛应用的原因
除了设备及运行条件的指标相对较高以外
高质量原料的生产也是一个技术瓶颈
电子气体,气态氢化物,金属有机化合物
应该属于该范畴内的产品
希望与各位朋友交流看法
是的,只有高质量的原料才能产生高质量的产品,目前电子气体就存在这样的瓶颈。
我对这方面很感兴趣,也做了很长时间的调研与研究,能否交流一下呢?:)
CVD技术所使用的特殊原料一般包括普通气体(N2,H2,NH3,He等),特殊气体(H2S,PH3,AsH3,SiH4,GeH4等),金属有机源(卤化物,烷基化合物等)。
目前国内还不能做好的基本就是超高纯NH3,特殊气体,金属有机源。而随着中国半导体技术与纳米技术的发展,真空镀膜技术(CVD技术与PVD技术)也迎来了自己的春天。但是国内目前在整个薄膜技术领域还是非常落后的。一方面设备造不好,另一方面源材料生产不出来,还有就是薄膜制备工艺技术也落后于国外。
其实在以上领域都充满了机遇与挑战,但是我们目前想做好还真的很难。
昨天到使用了个CaH2,干燥三乙胺不错哦。就是使用时要谨慎,他性质很活泼
现在似乎仍然是这样~~
我也要用SiH4
昨日听到浙江大学叶志镇先生的报告 了解到MOCVD源的迫切需求
不懂,看了第一句话,不知为什么就想到了铀的提纯。